Contact pad production method and semiconductor device production method using same, and semiconductor device

WO2018163913 Art A1 13. September 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018163913
Aktenzeichen: EP18763166
Anmeldetag: 27. Februar 2018
Veröffentlichung: 13. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11575C23C18/16H01L21/28H01L21/288H01L21/336H01L21/768H01L23/522H01L27/11521H01L27/11548H01L27/11568H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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