Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for producing same, and method for producing patterned substrate
WO2018164267
Art A1
13. September 2018
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018164267
- Aktenzeichen
- EP18763180
- Anmeldetag
- 9. März 2018
- Veröffentlichung
- 13. September 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G8/20G03F7/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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