Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide
WO2018165598
Art A1
13. September 2018
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018165598
- Aktenzeichen
- EP18764627
- Anmeldetag
- 9. März 2018
- Veröffentlichung
- 13. September 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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