Ic structure with air gaps and protective layer and method for manufacturing the same

WO2018171399 Art A1 27. September 2018

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018171399
Aktenzeichen: EP18772576
Anmeldetag: 28. Februar 2018
Veröffentlichung: 27. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/528H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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