Etching stop layer, and method for manufacturing semiconductor device

WO2018173718 Art A1 27. September 2018

Anmelder: ULVAC, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018173718
Aktenzeichen: EP18772655
Anmeldetag: 5. März 2018
Veröffentlichung: 27. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/306H01L27/11556H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ULVAC, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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