Sintered in-cu sputtering target and method of manufacturing sintered in-cu sputtering target

WO2018174019 Art A1 27. September 2018

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018174019
Aktenzeichen
EP18772340
Anmeldetag
19. März 2018
Veröffentlichung
27. September 2018
Rechtsraum
WO
IPC
C23C14/34B22F3/15C22C1/05C22C9/00C22C28/00H01L31/18H01L31/0749
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Mitsubishi Materials Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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