Method for manufacturing tunneling field-effect transistor and method for enhancing driving current of tunneling field-effect transistor through ultra-low power pre-heat treatment

WO2018174377 Art A1 27. September 2018

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018174377
Aktenzeichen: EP17901755
Anmeldetag: 11. Dezember 2017
Veröffentlichung: 27. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/06H01L29/16H01L51/00H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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