Group Iii-V Nitride-Based Light Emitting Devices Having Multilayered P-Type Contacts

WO2018175751 Art A1 27. September 2018

Anmelder: Wisconsin Alumni Research Foundation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018175751
Aktenzeichen: EP18771789
Anmeldetag: 22. März 2018
Veröffentlichung: 27. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/06H01L33/04H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Wisconsin Alumni Research Foundation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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