A method of manufacture using complementary conductivity-selective wet-etching techniques for iii-nitride materials and devices

WO2018175981 Art A1 27. September 2018

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018175981
Aktenzeichen: EP18772124
Anmeldetag: 23. März 2018
Veröffentlichung: 27. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C09J183/04C09J183/06H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Georgia Tech Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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