Bismuth ferrite-based dielectric thin film for high-density energy storage, preparation method therefor and use thereof

WO2018177019 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018177019
Aktenzeichen: EP18776997
Anmeldetag: 31. Januar 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/453C04B35/47

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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