Oxidation Furnace

WO2018177601 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018177601
Aktenzeichen: EP18719753
Anmeldetag: 29. März 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: F27B17/00F27D99/00H01L21/02H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik

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