Sputtering target, sputtering target production method, amorphous film, amorphous film production method, crystalline film, and crystalline film production method
WO2018179595
Art A1
4. Oktober 2018
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018179595
- Aktenzeichen
- EP17903773
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C04B35/01C04B35/64C23C14/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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