Magnetoresistance effect element and magnetic memory
WO2018179660
Art A1
4. Oktober 2018
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018179660
- Aktenzeichen
- EP17904343
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L21/8239H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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