Silicon carbide substrate, method for producing silicon carbide substrate, and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2018180013 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Mitsubishi Electric Corporation, National University Corporation Nagoya University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018180013
Aktenzeichen: EP18774671
Anmeldetag: 20. Februar 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/04C30B25/20H01L21/205H01L21/208H01L21/329H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Electric Corporation
National University Corporation Nagoya University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

18.870 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National University Corporation Nagoya University

Japanische staatliche Universität mit umfangreicher Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin, unter anderem bekannt für Arbeiten zu LED-Technologie. Trägerin zahlreicher Patente aus Universitätsforschung in Japan.

702 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von