Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

WO2018180021 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018180021
Aktenzeichen: EP18776613
Anmeldetag: 20. Februar 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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