Dry etching method, semiconductor element manufacturing method, and chamber cleaning method

WO2018180655 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Central Glass Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018180655
Aktenzeichen: EP18775443
Anmeldetag: 19. März 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302C23F4/00H01L21/3065H01L21/3213H01L21/768H01L21/8239H01L27/105H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Central Glass Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Central Glass

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.

1.099 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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