Garnet compound, oxide sintered compact, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, electronic device and image sensor
WO2018181716
Art A1
4. Oktober 2018
Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018181716
- Aktenzeichen
- EP18775640
- Anmeldetag
- 29. März 2018
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C04B35/01C23C14/08C23C14/34H01L21/363H01L27/146H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Idemitsu Kosan Co., Ltd
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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