Garnet compound, oxide sintered compact, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, electronic device and image sensor

WO2018181716 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018181716
Aktenzeichen
EP18775640
Anmeldetag
29. März 2018
Veröffentlichung
4. Oktober 2018
Rechtsraum
WO
IPC
C04B35/01C23C14/08C23C14/34H01L21/363H01L27/146H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen