Crystalline material, phototransistor, and methods of fabrication thereof

WO2018182517 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182517
Aktenzeichen: EP18775526
Anmeldetag: 28. März 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0264C01B32/914C01B25/08H01L29/167H01L31/112

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: National University of Singapore
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

1.152 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von