Assymetric transistor arrangements with smartly spaced drain regions

WO2018182570 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: Intel IP Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182570
Aktenzeichen: EP17903108
Anmeldetag: 28. März 2017
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel IP Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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