Method of sample preparation using dual ion beam trenching

WO2018182640 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182640
Aktenzeichen: EP17903640
Anmeldetag: 30. März 2017
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L21/265H01L23/528H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von