Layered oxygen barrier electrodes for resistive random access memory (rram) devices and their methods of fabrication

WO2018182649 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: INTEL Corporation, Karpov, Elijah V., Jezewski, Christopher J., Kobrinsky, Mauro J. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182649
Aktenzeichen: EP17903311
Anmeldetag: 30. März 2017
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Karpov, Elijah V.
Jezewski, Christopher J.
Kobrinsky, Mauro J.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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