Spin hall effect device with spin absorption layer

WO2018182740 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182740
Aktenzeichen: EP17903010
Anmeldetag: 31. März 2017
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16H01L43/08H01L27/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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