Gas additives for sidewall passivation during high aspect ratio cryogenic etch

WO2018182968 Art A1 4. Oktober 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018182968
Aktenzeichen: EP18775392
Anmeldetag: 13. März 2018
Veröffentlichung: 4. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/324H01L21/67C09K13/06C09K13/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von