Structure and method for improving high voltage breakdown reliability of a microelectronic device

WO2018187258 Art A1 11. Oktober 2018

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018187258
Aktenzeichen: EP18780328
Anmeldetag: 3. April 2018
Veröffentlichung: 11. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L49/02H01L23/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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