Transistors with temperature compensating gate structures

WO2018190811 Art A1 18. Oktober 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018190811
Aktenzeichen: EP17905537
Anmeldetag: 11. April 2017
Veröffentlichung: 18. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/51H01L29/49H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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