Semiconducting oxide device source and drain contacts

WO2018190828 Art A1 18. Oktober 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018190828
Aktenzeichen: EP17905030
Anmeldetag: 12. April 2017
Veröffentlichung: 18. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L29/417H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von