High Deposition Rate High Quality Silicon Nitride Enabled By Remote Nitrogen Radical Source

WO2018191021 Art A1 18. Oktober 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018191021
Aktenzeichen: EP18783737
Anmeldetag: 29. März 2018
Veröffentlichung: 18. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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