Formulations To Selectively Etch Silicon-Germanium Relative To Silicon
WO2018191426
Art A1
18. Oktober 2018
Anmelder: Entegris, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018191426
- Aktenzeichen
- EP18721919
- Anmeldetag
- 11. April 2018
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Entegris, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Entegris
US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.
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