Insulating film forming method, insulating film forming device, and substrate processing system

WO2018193753 Art A1 25. Oktober 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018193753
Aktenzeichen: EP18787978
Anmeldetag: 13. März 2018
Veröffentlichung: 25. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/76H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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