Semiconductor device
WO2018194090
Art A1
25. Oktober 2018
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018194090
- Aktenzeichen
- EP18787785
- Anmeldetag
- 18. April 2018
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L23/29H01L23/31H01L25/18H02M7/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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