Method for preparing polymer dielectric layer for thin-film transistor

WO2018194220 Art A1 25. Oktober 2018

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018194220
Aktenzeichen: EP17906679
Anmeldetag: 10. August 2017
Veröffentlichung: 25. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/448H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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