Rapid chamber clean using concurrent in-situ and remote plasma sources
WO2018195532
Art A1
25. Oktober 2018
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018195532
- Aktenzeichen
- EP18787970
- Anmeldetag
- 23. April 2018
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.