Method for depositing high deposition rate, thick tetraethyl orthosilicate film with low compressive stress, high film stability and low shrinkage

WO2018195535 Art A1 25. Oktober 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018195535
Aktenzeichen: EP18787947
Anmeldetag: 23. April 2018
Veröffentlichung: 25. Oktober 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von