Single crystal silicon production method, epitaxial silicon wafer production method, single crystal silicon, and epitaxial silicon wafer
WO2018198797
Art A1
1. November 2018
Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018198797
- Aktenzeichen
- EP18790199
- Anmeldetag
- 12. April 2018
- Veröffentlichung
- 1. November 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06H01L21/20H01L21/205H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMCO Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumco
Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.
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