Low dielectric constant oxide and low resistance op stack for 3d nand application

WO2018200335 Art A1 1. November 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018200335
Aktenzeichen: EP18791331
Anmeldetag: 20. April 2018
Veröffentlichung: 1. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11556H01L27/11524H01L27/11529H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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