Method for fabricating nfet and pfet nanowire devices

WO2018201066 Art A1 1. November 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018201066
Aktenzeichen: EP18790426
Anmeldetag: 27. April 2018
Veröffentlichung: 1. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L29/66H01L21/28H01L29/06H01L29/41

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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