Multi-bit-per-cell memory device based on the unidirectional spin hall magnetoresistance

WO2018204785 Art A1 8. November 2018

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018204785
Aktenzeichen: EP18794685
Anmeldetag: 4. Mai 2018
Veröffentlichung: 8. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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