Power semiconductor device and method for producing same

WO2018207856 Art A1 15. November 2018

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018207856
Aktenzeichen: EP18799134
Anmeldetag: 10. Mai 2018
Veröffentlichung: 15. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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