Transistor arrangements with uneven gate-drain surfaces

WO2018208285 Art A1 15. November 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018208285
Aktenzeichen: EP17908972
Anmeldetag: 9. Mai 2017
Veröffentlichung: 15. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/10H01L29/08H01L29/78H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von