Multi-layer barrier for cmos under array type memory device and method of making thereof

WO2018208356 Art A1 15. November 2018

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018208356
Aktenzeichen: EP18710592
Anmeldetag: 22. Februar 2018
Veröffentlichung: 15. November 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L21/768H01L27/11526H01L27/11556H01L27/11568H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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