In-situ selective deposition and etching for advanced patterning applications
WO2018213295
Art A1
22. November 2018
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018213295
- Aktenzeichen
- EP18803271
- Anmeldetag
- 15. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 22. November 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311H01L21/3065H01L21/3213H01L21/027G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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