Nitrogen-polar and semipolar gan layers and devices formed on sapphire with a high-temperature a1n buffer
WO2018217973
Art A1
29. November 2018
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018217973
- Aktenzeichen
- EP18805520
- Anmeldetag
- 24. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 29. November 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L29/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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