Halbleiterlaser-Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaser-Bauteils
WO2018219687
Art A1
6. Dezember 2018
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018219687
- Aktenzeichen
- EP18729342
- Anmeldetag
- 18. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/022H01S5/028H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
2.304 Patente in unserer Datenbank