Passivation mixture and systems and methods for selectively passivating substrate materials including germanium or type iii-iv materials using the passivation mixture

WO2018220532 Art A1 6. Dezember 2018

Anmelder: Lam Research AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018220532
Aktenzeichen: EP18810534
Anmeldetag: 29. Mai 2018
Veröffentlichung: 6. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/02H01L21/56

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von