Etching method

WO2018220973 Art A1 6. Dezember 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018220973
Aktenzeichen: EP18808849
Anmeldetag: 28. März 2018
Veröffentlichung: 6. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/302H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von