Porous Low-K Dielectric Etch

WO2018222381 Art A1 6. Dezember 2018

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018222381
Aktenzeichen: EP18810134
Anmeldetag: 14. Mai 2018
Veröffentlichung: 6. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/027H01L21/311H01L21/3213H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von