Two-dimensional patterning of integrated circuit layer by tilted ion implantation
WO2018222915
Art A1
6. Dezember 2018
Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018222915
- Aktenzeichen
- EP18810365
- Anmeldetag
- 31. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/027H01L21/265H01L21/033H01L21/02G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- The Regents of the University of California
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of California
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