Manufacturing method for indium gallium zinc oxide thin film transistor

WO2018223476 Art A1 13. Dezember 2018

Anmelder: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018223476
Aktenzeichen: EP17912491
Anmeldetag: 6. Juli 2017
Veröffentlichung: 13. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/34H01L29/08H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 China Star Optoelectronics (CSOT)

Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.

14.706 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von