Semiconductor device structures and fabrication methods thereof
WO2018223967
Art A1
13. Dezember 2018
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018223967
- Aktenzeichen
- EP18814169
- Anmeldetag
- 5. Juni 2018
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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