Digitally controlled switched current source active gate driver for silicon carbide mosfet with line current sensing

WO2018225083 Art A1 13. Dezember 2018

Anmelder: Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras) 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018225083
Aktenzeichen: EP18812668
Anmeldetag: 1. Juni 2018
Veröffentlichung: 13. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H03K17/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras)
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Technology Madras (iit Madras)

Das Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras) ist eine der führenden staatlichen technischen Hochschulen Indiens mit Sitz in Chennai. Das Patentportfolio verteilt sich breit über Nachrichtentechnik, Mess- und Prüftechnik sowie Software, ergänzt um Medizintechnik und anorganische Chemie. Die Anmeldungen aus den Jahren 2018 bis 2025 spiegeln ein interdisziplinäres Forschungsprofil von Wasserstofftechnologie bis Bioinformatik wider.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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